隨著等離子清洗設備的普及，由于等離子體結構的復雜性，常被用于清洗，在接觸到物體的表面時，會發生各種復雜的反應，主要有分解。一種是等離子體與物體表面的碰撞，這種碰撞產生的物理反作用。應該說，等離子體與物體表面發生的各種化學反應。各種等離子清洗的主要反應是不同的，不受氣體的刺激。構成非常重要，所用氣體，激發頻率，以及清洗時的主要反應。目前半導體封裝主要采用氬、氧、氫等氣體。也可將一定比例的氬氫混合氣作為激發氣，實現對晶片、引線架、襯底表面的清洗，去除被清洗物。聚合物，金屬氧化物，有機物污染等等。

       實驗結果表明，用直流等離子體、微波等離子體儀型等離子體裝置和射頻等離子體對目標表面有機物進行3種不同的清洗效果，分別清洗銅引線盒、芯片，對照清潔效果。各等離子設備的清洗參數不同，顯示了優化參數。一種由96%氬-4%氫組成的混合氣體，在電弧電流為40A時，采用直流激發。射頻等離子清洗每一次都要清洗產品、直流等離子和微型。波形等離子體每次清洗時，產品應放置在20個規格的容器中。各種等離子清洗參數設定，清潔前后水滴角對比：

1、點滴測量，確認清潔效果，使用滴角測試裝置。
2、自動測定JCY-3值及清洗前后的水滴角及清洗前后的水滴角。
3、在同一位置測量清潔后的引線框，每種類型的等離子。
4、每10次子清洗，測量數據，清潔前后。
5、射頻式等離子體清洗后液滴角的變化較小。
6、水滴角在直流等離子體清洗中是最大的，表明射頻等離子體對引線框基島的清洗活性優于直流等離子體清洗。與RF射頻清洗一樣，微波等離子體清洗也需要物理方法。
      在化學反應過程中，在引線框架表面的有機物會與金發生化學反應。氧化層的清除更為徹底。不同的等離子清洗前后水滴角的比較。清潔前后的晶片焊盤元素含量對比采用俄歇電子能譜(AES)對比清潔前后。洗滌液表面元素含量也能確認洗滌效果。晶片貼裝完畢后，清潔劑使用不同的清潔劑，然后進行鍵合。