元件表面的微米雜質顆粒物對微納制造、光電器件開發和應用等方面有著極大的危害，因此，研究其合理有效祛除方法有著實際意義。采用傳統清洗方法祛除顆粒物，（效）果不佳，難以滿足要求。

       等離子離子清洗設備是一種新的清洗技術，它有著除污能力強、效果好、非接觸、使用簡易等優勢，有著寬闊的應用前景。在等離子清洗設備清洗環節中，具有著許多復雜的物理環節，如等離子體的產生、沉積能的積累等，這些物理環節對顆粒物有直接的影響。
       硅基底表面有直徑10~2納米的粒子，這些粒子在等離子清洗設備的影響下，除了極小的納米粒子以外，基本上完全被除去。沖擊波對微納顆粒物的祛除效果很明顯，對直徑大于0.5微米的顆粒物祛除是比較徹底的，而粒徑小于此粒徑的顆粒物基本去除了原量的50%左右。該等離子清洗設備輻射光譜由連續光譜和疊加在其上的線狀譜線組成，光譜范圍廣，從紫外到近紅外，但主要集中于可見光范圍。寬光譜輻射有助于增加基底表面顆粒物對等離子體輻射能量的吸收。等離子體的產生、擴散及其本身的特性都會對基底表面產生影響，直接影響祛除效果。因此，顆粒物祛除的物理環節與等離子體的特性密不可分。自由電子的擊穿電離環節主要有兩個環節：
1)多光子電離，主要是利用多光子電離因素，使空氣中的自由電子密度略有增加，這些自由電子可作為隨后大量產生自由電子的基礎。
2)自由電子密度增大到一定程度后，就會產生吸收因素，強吸收后續激光脈沖能量，使其密度增大，即雪崩電離階段。
       這一環節中空氣的自由電子密度很高，且大部分脈沖能量被吸收沉積，透射量很小。這類濃度較高的等離子體在短時間內集中沉積了大部分脈沖能量，因而有著高溫、高壓特性。等離子清洗設備產生的等離子體可視為與微粒之間傳熱的中介，能合理有效地將脈沖能量傳遞給顆粒物。顆粒物和基體材料不同，形狀和大小不同，將導致對等離子體輻照的吸收也不同，進而產生不同的溫差和相應的膨脹應力差，使微粒與基底更容易分離。顆粒物的合理有效祛除是等離子體綜合影響的效果，其中顆粒物對等離子體輻射吸收引起的熱膨脹因素，顆粒物與基底間產生應力差，顆粒物易于祛除。但是這類應力差通常會小于微粒與基底之間的粘附力，而且應力消失后，顆粒物仍然粘附在基底上，因此難以實現合理有效的祛除。與此同時，在等離子體的影響下，微粒能夠合理有效地剝離基底，從而達到清潔基底的目的。

        顆粒去除的主要原因是等離子清洗設備的處理。等離子體技術能夠合理、有效地去除精密元件表面雜質微粒，主要源于等離子體的寬譜輻照因素和沖擊波因素。在基體和顆粒物的熱膨脹程度不同的情況下，脈沖能量被合理有效地傳遞到基體及表面的雜質微粒中，導致二者分離。等離子體處理產生的沖擊，將進一步克服顆粒物對基面的吸附能力，從而實現雜質顆粒物的祛除。
        在實際去除雜質微粒時，應控制等離子清洗設備中的等離子體表面與焦點的距離，使等離子體的應力要小于材料的斷裂，并且大于微粒剝離力，這樣才能合理有效地祛除表面雜質。