從全球市場(chǎng)銷(xiāo)售份額來(lái)看，單晶圓清洗設(shè)備在2008年之后超過(guò)自動(dòng)清洗臺(tái)成為主要的清洗設(shè)備，而這一年正是行業(yè)引入45nm節(jié)點(diǎn)的時(shí)間。根據(jù)ITRS，2007年致2008年是45nm工藝節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)的開(kāi)始。松下、英特爾、IBM、三星等紛紛于此時(shí)段開(kāi)始量產(chǎn)45nm。2008年底，中芯國(guó)(際)獲得了IBM批量生產(chǎn)45納(米)工藝的授(權(quán))，成為中國(guó)首(家)向45nm邁進(jìn)的中國(guó)半導(dǎo)體公司。
      根據(jù)市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體估計(jì)，就每月生產(chǎn)10萬(wàn)片晶圓的20nm的DARM廠來(lái)說(shuō)，產(chǎn)量下降1％將導(dǎo)致每年利潤(rùn)減少30致50百萬(wàn)美元，而邏輯芯片廠商的損失更高。此外，產(chǎn)量的降(低)還將增加廠商原本已經(jīng)十(分)高昂的資本支出。因而，工藝的優(yōu)化和控制是半導(dǎo)體生產(chǎn)制程的重中之重，廠商對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備的要求也越來(lái)越高，清洗步驟尤其如此。在20nm及以上領(lǐng)域，清洗步驟數(shù)量超過(guò)所有工藝步驟數(shù)量的30%。而從16/14nm節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，由3D晶體管結(jié)構(gòu)、前后端更復(fù)雜的集成、EUV光刻等因素推動(dòng)，工藝步驟的數(shù)量增加得很明(顯)，對(duì)清洗工藝和步驟的要求也將明(顯)增加。

      并且，在2008年前后兩個(gè)階段中，市場(chǎng)份額很高的清潔設(shè)備走勢(shì)均與半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額走勢(shì)保持一致，體現(xiàn)出清洗設(shè)備需求的穩(wěn)定性；并且在單晶圓清洗設(shè)備主導(dǎo)市場(chǎng)后，其占總體銷(xiāo)售額的比例明(顯)提(升)，體現(xiàn)出單晶圓清洗設(shè)備和清洗工藝在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位提(升)。這一市場(chǎng)份額變遷是工藝節(jié)點(diǎn)不斷縮小的必然性結(jié)果。