等離子體發(fā)生器清洗的硅油光致發(fā)光性能影響：
        顯視和發(fā)光技術(shù)的發(fā)展促使應(yīng)用于光源的白光發(fā)射材料得以密切關(guān)注。近年來，大家發(fā)現(xiàn)非晶Si:C:0:H材料的光致發(fā)光PL)可以覆蓋350~800nm的光譜范圍，因此其變成希望極大的白光發(fā)射候選材料。
        人們探索了各種非晶Si，以獲得可能使用的白光發(fā)射材料:C:0:H材料的光發(fā)光性能，如反應(yīng)直流磁控濺射制備的非晶Si:C:O:氫化非晶碳化硅6由H膜、熱蒸發(fā)沉積和熔化涂層技術(shù)、0、膜、反應(yīng)直流磁控濺射和等離子體增強的化學(xué)氣相沉積制成-SiC:H)摻硅金剛石碳膜由等離子體增強的化學(xué)氣相沉積制成。

       在制備這些薄膜時，通常需要使用較高的沉積溫度或較高的后處理溫度，如熱蒸發(fā)沉積a-SiC,O,膜的沉積溫度高達800℃，熔化涂層技術(shù)制備a-SiC,O,燒結(jié)溫度高達1300℃。
       當(dāng)將發(fā)光材料應(yīng)用于光電集成技術(shù)時，這么高溫度可能造成其它的材料和器件的損傷，因此發(fā)展低溫下制備非晶Si:C:0:H光發(fā)射材料的方法就變得非常重要。
        硅油是一種含Si、C、0、H組分的高分子材料。由于其穩(wěn)定的化學(xué)性能，硅油常常作為發(fā)光材料的封裝材料而在發(fā)光器件中得到應(yīng)用。
       近年來對非晶Si:C:O:H光發(fā)射材料的研究表明材料的光致發(fā)光性能與薄膜中的鍵結(jié)構(gòu)、缺陷、納米顆粒和團簇有關(guān)。硅油的鍵結(jié)構(gòu)可以直接用Ar等離子體處理而改變，因此，可以采用等離子體發(fā)生器設(shè)備處理硅油來改變硅油結(jié)構(gòu)或制備非晶Si:C:O:H薄膜，得以具有光致發(fā)光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H薄膜。
       在等離子體中，放電產(chǎn)生處理硅油所需的活性基團，可以控制硅油的離子能量，結(jié)合等離子體發(fā)生器反應(yīng)和離子轟擊效應(yīng)，從而改變硅油的結(jié)構(gòu)，具有光發(fā)光特性的改性硅油或非晶體:C:O:H薄膜。